- 手機：
- 137 6026 2620
- 經(jīng)理：
- 何經(jīng)理
- 郵箱：
- jesion.he@ac-led.com.cn
- 地址：
- 深圳市光明區(qū)公明街道上村上輦工業(yè)區(qū)5棟3樓
產(chǎn)品概述
HX3330B DC-DC升壓恒流LED驅(qū)動IC
◆LED燈杯 ◆電池供電的燈串 ◆平板顯示LED背光 ◆大功率LED照明
內(nèi)置MOS開關升壓恒流芯片
概述
HX3330B是一款內(nèi)置100V功率NMOS高效率高精度開關升壓型大功率LED恒流驅(qū)動芯片。HX3330B采用固定關斷時間的鋒值電流控制方式，關斷時間可以通過外部電容進行調(diào)節(jié)，工作頻率可以根據(jù)用戶要求而改變。
HX3330B通過調(diào)節(jié)外置的電流采樣電阻，能控制高亮度的LED燈的驅(qū)動電流，使LED燈亮度達到預期恒定亮度。
HX3330B在EN端加PWM信號，可以進行LED燈調(diào)光。HX3330B內(nèi)部還集成了VDD穩(wěn)壓管，軟啟動及過溫保護電路燈，減少外圍元件并提高了系統(tǒng)的可靠性。
HX3330B并采用了ESOP8封裝。散熱片內(nèi)置接SW腳。
特點
◆內(nèi)置100V NMOS
◆寬壓輸入范圍2.7-100v
◆高效率，可達95%
◆最大工作頻率：1MHz
◆FB電流采樣電壓：250mV
◆芯片供電欠電壓保護：2.5V
◆關斷時間可調(diào)
◆智能過溫保護
◆內(nèi)置VDD穩(wěn)壓管
◆最大工作電流1.5A
◆軟啟動
訂貨信息
|
定購型號 |
打印 |
封裝 |
最小包裝 |
|
HX3330B |
NanoDriver HX3330B XXXX |
SOP-8 |
2500Pcs/盤 |
管腳圖
|
腳位圖 |
序號 |
管腳 |
功能 |
|
ESOP8 |
1 |
GND |
接地 |
|
2 |
EN |
芯片使能，高電平有效；可做PWM調(diào)光 |
|
|
3 |
COMP |
頻率補償腳 |
|
|
4 |
FB |
輸出電流檢測反饋腳 |
|
|
5 |
SW |
功率MOS管漏極 |
|
|
6 |
CS |
輸入限流檢測腳 |
|
|
7 |
TOFF |
關斷時間設置 |
|
|
8 |
VDD |
芯片電源 |
應用領域
◆LED燈杯 ◆電池供電的燈串 ◆平板顯示LED背光 ◆大功率LED照明
典型應用圖
極限參數(shù)
如無特殊說明，環(huán)境溫度為25℃
|
符號 |
描述 |
參考范圍 |
單位 |
|
VDD |
VDD端最大電壓 |
5.5 |
V |
|
VMAX |
EN、COMP、FB、TOFF與CS腳電壓 |
-0.3∽VDD+0.3 |
V |
|
VSW |
VSW腳的最大電壓 |
60 |
V |
|
PESOP8 |
ESOP8封裝最大功耗 |
0.8 |
W |
|
TA |
工作溫度范圍 |
-20∽85 |
℃ |
|
TSTG |
存儲溫度 |
-40∽120 |
℃ |
|
TSD |
焊接溫度范圍（時間小于30秒） |
240 |
℃ |
|
TESD |
靜電耐壓值（人體模型） |
2000 |
V |
注：極限參數(shù)超過上表中規(guī)定的工作范圍可能導至器件損壞而工作在以上條件下可能會導致器件的可靠性。
電特性
如無特殊說明，VDD=5.5V，TA=25℃
|
參數(shù) |
符號 |
測試條件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
單位 |
|
|
電源電壓 |
|||||||
|
VDD鉗位電壓 |
VDD |
IVDD<10mA |
|
5.5 |
|
V |
|
|
欠壓保護電壓 |
VDD_UVLO |
VDD上升 |
|
2.5 |
|
V |
|
|
欠壓保護遲滯 |
VDD_HYS |
|
|
0.5 |
|
V |
|
|
電源電流 |
|||||||
|
工作電流 |
IOP |
FOP=200KHz |
|
1.3 |
|
mA |
|
|
待機輸入電流 |
IINQ |
無負載，EN為低電平 |
|
200 |
|
uA |
|
|
輸入峰值電流采樣 |
|||||||
|
過流保護閾值 |
VCS_TH |
|
240 |
250 |
260 |
mV |
|
|
輸出電流采樣 |
|||||||
|
FB腳電壓 |
VFB |
|
240 |
250 |
260 |
mV |
|
|
關斷時間 |
|||||||
|
最小關斷時間 |
TOFF_MIN |
TOFF腳無外接電容 |
|
620 |
|
ns |
|
|
EN使能端輸入 |
|||||||
|
EN端輸入高電平 |
|
|
0.4*VDD |
|
|
V |
|
|
EN端輸入低電平 |
|
|
|
|
0.8 |
V |
|
|
內(nèi)置MOS開關 |
|||||||
|
MOS管耐壓 |
VDS |
|
60 |
|
|
V |
|
|
MOS管導通內(nèi)阻 |
RDSON |
VGS=5V |
|
50 |
|
m? |
|
|
過溫保護 |
|||||||
|
過溫調(diào)節(jié) |
OTP_TH |
|
|
135 |
|
℃ |
|
功能描述
HX3330B是一款內(nèi)置100V功率NMOS升壓大功率LED恒流驅(qū)動IC，采用固定關斷時間的峰值電流模式控制方式。
HX3330B芯片內(nèi)部由誤差放大器、PWM比較器、電感峰值電流限流、固定關斷時間控制電路、PWM邏輯、功率管驅(qū)動、基準等電路單元組成。
HX3330B芯片通過FB管腳來采樣LED輸出電流。系統(tǒng)處于穩(wěn)態(tài)時FB管腳電壓VFB恒定在約250mV。當VFB電壓低于250mV時，誤差放大器的輸出電壓即CMOP管腳電壓升高，從而使得在功率管導通期間電感的峰值電流增大，因此增大了輸入功率，VFB電壓將會升高。反之，當VFB電壓高過250mV時，誤差放大器的輸出電壓會逐漸降低，從而使得在功率管導通期間電感的峰值電流減小，因此減小了輸入功率，VFB電壓隨之降低。
HX3330B芯片通過CS管腳采樣電感電流，實現(xiàn)峰值電流控制。此外，CS腳還用來限制最大輸入電流，實現(xiàn)過流保護功能。
HX3330B系統(tǒng)關斷時間過通過連接到TOFF管腳的電容COFF來設置。通過設定關斷時間，可設置系統(tǒng)的工作頻率。
HX3330B的COMP管腳是誤差放大器的輸出端，需在COMP腳外接電阻、電容來實現(xiàn)頻率補償。
HX3330B內(nèi)部集成了VDD穩(wěn)壓管，以及軟啟動和過溫保護電路。
LED電流設置：
LED輸出電流由連接到FB管腳的反饋電阻RFB設定：
ILED=0.25/RFB
TOFF 設置：
關斷時間可由連接到FB管腳的反饋電阻RFB設定：
TOFF=0.51*150K?*(COFF+7.3pF)+TD
其中TD=61ns.
如果不接COFF，HX3330B內(nèi)部將關斷時間設定為620ns。對于大多數(shù)應用，建議COFF電容取值為22-33pF或更大。
系統(tǒng)工作頻率FS
系統(tǒng)工作頻率FS由下式確定：
FS=VIN/（VOUT*TOFF）
其中VIN、VOUT分別系統(tǒng)輸入和輸出電壓
電感取值
流過電感的紋波電流大小與電感取值有關。工作于連續(xù)模式時，電感紋波電流由下式確定：
?IL=（（VOUT-VIN）/L）*TOFF
增大電感值紋波電流會減小，反之增大。
連續(xù)模式下電感的峰值電流由下式確定：
IPK=VO*Iled/（Vin*η）+?IL/2
電感電流工作在連續(xù)模式與非連續(xù)模式的臨界值由下式確定：
Lcri=VIN*(VOUT-VIN)*TOFF/(2VOUT*ILED)
電感數(shù)值大于Lcri則系統(tǒng)工作在連續(xù)模式，電感數(shù)值小于Lcri則系統(tǒng)工作在非連續(xù)模式。電流大于電感峰值的1.5倍以上。同時應選擇低ESR的功率電感，在大電流條件下電感自身的ESR會顯著影響系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率。
RCS設置
需合理設置RCS電阻阻值，以防止在正常負載下因為輸入限流而限制輸出功率。
RCS≤0.2/(VOUT*ILED/(η*VIN)+(VOUT-VIN)*TOFF/(2L))
其中η表示轉(zhuǎn)換效率，典型地可取90%。應在最低輸入電壓下計算得到RCS值。
系統(tǒng)的最大峰值電流IPK由電阻RCS限定：
IPK≤0.25/RCS
供電電阻選擇
HX3330B通過供電電阻RVDD對芯片VDD供電。
RVDD=（VIN-VDD）/IVDD
其中VDD取5.5V,IVDD典型值取2mA，VIN為輸入電壓。當開關頻率設置的較高時，芯片工作電流會增大，相應地應減小供電電阻取值。
芯片內(nèi)部接VDD腳的穩(wěn)壓管最大鉗位電流不超過10mA，應注意RVDD的取值不能過小，以免流入VDD的電流超過允許值，否則需外接穩(wěn)壓管鉗位。
過溫保護
當芯片溫度過高時，系統(tǒng)會限制輸入電流峰值，典型情況下當芯片內(nèi)部溫度超過135℃以上時，過溫調(diào)節(jié)開始起作用；隨溫度升高輸入峰值電流逐浙減小，從而限制輸入功率，增強系統(tǒng)可靠性。
